12月21日消息，三星电子宣布开发出采用业界最先进12nm工艺的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM(第5代)，并于近期完成了与AMD的兼容性验证。
三星电子通过应用高介电(high-k)材料和改进电路特性的创新设计来增加存储电荷的电容器的容量，从而完成了这一过程。这代DRAM是利用多层 EUV(极紫外)技术开发的，拥有三星最高的DDR5 Die密度(Die density)，同时也具有业界最高水平的集成度。12nm级DRAM相较上一代晶圆生产力提升约20%。
采用DDR5标准的新款DRAM最高支持7.2Gbps的运行速度——这意味着可以在一秒钟内处理两部30GB超高清电影。与上一代产品相比，新DRAM的功耗有望节省约23%。
三星电子计划从明年开始量产12nm级DRAM，同时与全球IT企业合作，引领下一代DRAM市场。该产品将提供给数据中心、人工智能和下一代计算等各种应用。
“业界最先进的12nm级DRAM将成为DDR5市场全面扩张的催化剂，”三星电子内存部门DRAM开发办公室负责人(副总裁)Lee Joo-young说。“能效提升将有助于它为数据中心、人工智能和下一代计算领域的客户提供可持续的商业环境。”
AMD首席技术官 (CTO) Joe Macri 表示：“突破技术界限的创新需要行业合作伙伴之间的密切合作。”他表示，AMD与三星电子的再度合作主要围绕在Zen平台上优化和验证DDR5内存产品展开。
行业内DDR5内存的推进正在紧锣密鼓地进行中。2021年10月，第12代英特尔酷睿 Alder Lake 桌面处理器支持了DDR5内存;SK海力士则是全球首家正式发布DDR5内存产品的厂商，量产DDR5内存颗粒的计划正在稳步推进。
