每当谈及卡脖子问题时，“缺芯少魂”总是绕不开的话题，在过去20多年里，我国一直未能摆脱这一困境，美国的技术锁死让我们无法在这些领域中取得较大的突破。
无论是芯片还是操作系统，都是我国当下面临的巨大短板，先进芯片几乎被美国掌控的企业所垄断，系统同样被微软的Windows、苹果的Mac OS、iOS以及谷歌的安卓垄断了。
当前在国内，除了华为鸿蒙系统以外，其它国产系统的生存空间非常小，如果美国切断我们的系统，那么后果将不堪设想，比如俄罗斯的苹果手机用户此前就受到了限制。
连系统都没有突破，芯片领域就更不用说了，美国作为半导体产业的发源地，技术渗透到了产业链的方方面面，从设计到制造、封装、测试等，完全实现去美化无比困难。
不过我们可以从某个小的领域中寻求突破，比如华为就公布了堆叠芯片方案，还有光子芯片以及超导量子芯片等多条前瞻路线，这样做可以助力中国半导体产业链加速突破。
既然我国在传统硅基芯片领域遭遇技术锁死了，与其在先进制程工艺上绞尽脑汁，倒不如换个方向，想办法实现“弯道超车”，现在好消息已经传来了。
日前，长电科技正式宣布，该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺，目前已按计划进入稳定量产阶段，并同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货。
小芯片不同于传统的芯片设计方案，并非必须将所有的晶体管全部整合在一块芯片内，而是可以将多个功能相异的芯片通过先进封装技术整合在一起，从而形成一个系统芯片。
如此一来，小芯片就能避开先进制程，使用成熟制程生产性能相近的芯片，完美地规避了美国的技术锁死！
据了解，长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势，应用于高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域，并向客户提供更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。
对于长电科技的这项技术突破，有媒体认为是中国突破美国芯片科技禁运的快捷方式，也是重要路线之一，相信很快就会获得明显进展。
毫无疑问，长电科技的这项先进技术对于我国芯片产业来说将是意义重大的，在摩尔定律放缓的大背景下，我们可以利用28nm、14nm等成熟制程生产小芯片，从而实现等效5nm乃至4nm芯片的性能。
更重要的是，这样做还能大幅降低生产成本，因为相比先进工艺来说，成熟工艺的生产成本要明显低得多，所以小芯片方案还能做到取长补短、实现一加一大于二的效果。
只要我们能够成功地掌握小芯片技术，未来就不会因为缺少EUV光刻机而无法生产先进芯片了，理论上完全可以用当前已有的DUV光刻机搭配小芯片技术，生产出性能和功耗均达到先进制程的芯片。
不过我国想要真正打通这条产业链还需要一些时日，芯片行业并非互联网行业，能够在短时间内取得技术爆发，芯片行业需要日复一日的技术和经验积累。
但我相信，凭借中国人的智慧和永不言败的精神，完全有机会在小芯片、堆叠芯片乃至光子芯片等领域取得突破，一旦我国完全实现突破，也就该轮到美国头疼了。
由此可以看出，美国的技术锁死根本无法打败我们，持续封锁下只会让我们变得更加强大，华为就是典型的例子。对此你怎么看呢，欢迎评论、点赞、分享。
