集微网消息,据BusinessKorea报道,三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别保持了30年和20年的第一名位置。然而,中美两国的芯片制造商已经开始威胁其技术领先地位。
报道称,美国最大的存储半导体公司美光科技在2022年7月宣布全球首款232层NAND闪存量产,当时三星电子正在做176层NAND闪存。加拿大一家半导体咨询公司的负责人甚至声称,中国的长江存储在美光之前生产了232层NAND闪存。
另外,韩国本土竞争对手SK海力士去年也宣布成功开发出世界最多层(238层)NAND闪存。三星电子则于2022年11月开始量产236层NAND闪存。
目前,三星电子在DRAM和NAND闪存市场上处于领先地位,与竞争对手的市场占有率差距超过10%。截至2022年第三季度,DRAM市场由“三巨头”领导——三星电子(40.6%)、SK海力士(29.9%)和美光(24.8%)。在NAND闪存市场上,三星电子(31.6%)、铠侠(21.1%)、SK海力士(19%)、西部数据(12.4%)、美光(11.8%)等竞争激烈。
尽管市场份额差距较大,但竞争对手正在迅速侵蚀三星的技术主导地位。“据悉,长江存储232层NAND的质量出乎意料的高,因此三星对此非常关注,也很感兴趣。”一位业内人士表示。
此外,一位业内分析师称:“在内存领域,三星正被后来者追赶,而在代工业务方面,台积电遥遥领先。三星正面临着巨大的挑战。”(校对/周宇哲)