据报道，三星正在开发新一代旗舰级Exynos芯片，预计采用第二代3nm GAA晶圆技术，或在Galaxy S25系列机型上首次搭载。而在Galaxy S22系列上，三星放弃了自研旗舰芯片的策略，全球市场都转向了高通骁龙8系移动平台。
值得一提的是，Exynos 2100、2200两款旗舰芯片接连“翻车”后，其自研芯片之路似乎越走越窄。甚至三星也不得不在全球市场中推出仅搭载高通骁龙8系列移动平台的版本，以抵消自研芯片在性能体验上的差距。不过，三星仍然没有放弃自研芯片之路。
实际上，作为全球芯片代工巨头，三星在自研芯片上甚至比苹果、高通更有资源和技术禀赋，但奈何先进芯片工艺太“拉跨”。以3nm芯片技术为例，尽管三星率先宣布量产，但其第一代3nm GAA晶圆技术也并不被人们看好，初期量产良率非常低，完全无法和台积电FinFET 3nm技术的70%-80%良率相比。
此外，特别是进入2nm时代之后，GAAFET将成为晶体管缩微化技术的首选。
不过，虽然GAA FET取代FinFET已成业内共识，但现阶段影响其量产普及的因素还有不少，其中最关键的就是更复杂的制造流程，良品率和成本难以控制。
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