随着快充的飞速发展,快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升,同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业,拥有创新,稳定,高效率,低成本的整体解决方案,同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件,以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。
本次充电头网汇总了近几年的产品拆解中,涉及到威兆同步整流管家族中的产品应用案例,通过整合发现,威兆的同步整流管方案十分受欢迎,给充电器带来了许多的潜在好处。
威兆VSP009N10MS常用于同步整流的MOS管,耐压为110V的NMOS,采用PDFN5X6封装,使用5V逻辑电平控制。
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威兆VS2508AE常见放置于VBUS开关管位置,采用PDFN3333封装,耐压为20V的PMOS,导阻值为7.3mΩ。
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威兆VS2522AA2的是耐压为20V的PMOS管,21mΩ导阻,在实际应用中,使用两颗威兆VS2522AA2对向串联,可以防止电流倒灌。
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威兆VS3506AE用于输出VBUS开关管,采用PDFN3333封装,6mΩ导阻,耐压30V的PMOS。
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威兆VS3508AE常用于USB-C接口输出的VBUS开关,采用PDFN3333封装,8.5mΩ导阻,耐压30V的PMOS。
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威兆VS3508AS用于输出VBUS开关管和输出电流采样电阻,P-MOS,耐压30V,使用5V逻辑电平控制,SOP8封装规格。
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威兆VS3509AE用途是输出VBUS开关,PMOS,耐压30V,8mΩ导阻,采用PDFN3333封装。
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威兆VS3510AE用于输入保护,PMOS,耐压30V,导阻10mΩ,采用PDFN3333封装。
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威兆VS3518AE为USB-C口输出的VBUS开关,采用PDFN3333封装规格,耐压30V的PMOS,导阻15mΩ。
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威兆 VS3522AA PMOS,耐压30V,使用5V逻辑电平控制,采用DFN2x2x0.75-6L封装规格,常用于DC插孔输入切换。
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威兆VS3522AE常用于输出开关管,PMOS,耐压30V,使用5V逻辑电平控制,导阻为22mΩ,采用PDFN3333封装规格。
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威兆VS3610AE为VBUS开关管,NMOS,耐压30V,PDFN3333封装,使用5V逻辑电平控制,用于为USB-C口输出同步整流降压。
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威兆VS3618AE为 USB-C口输出VBUS开关,NMOS,耐压30V,导阻6mΩ,使用5V逻辑电平控制,采用PDFN3333封装规格。
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威兆半导体的VS3618AP MOS管,NMOS,耐压30V,导阻5.4mΩ,使用5V逻辑电平控制,常用于产品中的同步升降压。
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威兆半导体VS3618BE的MOS管耐压30V,NMOS,导阻5.2mΩ,PDNF3333封装,逻辑电压驱动,在产品中多用作VBUS开关。
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威兆VS3622AE使用5V逻辑电平驱动,NMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装。四颗组成H桥,用来驱动无线充电线圈。
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威兆半导体的双N MOS管,型号VS3622DB,耐压30V,由5V逻辑电平驱动,用于同步整流降压输出,双管集成性能提升。
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威兆VS3622DE 双NMOS管,耐压30V,导阻10mΩ,使用5V逻辑电平控制,用于两组线圈的切换,两路输出端口的独立保护。
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威兆VS3622DS耐压30V,NMOS,使用5V逻辑电平控制,采用SOP8封装规格,常作为USB-A2口的输出VBUS开关出现。
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威兆 VS3622DP2 双NMOS管,用于无线充电线圈驱动。使用逻辑电压驱动,更好适配无线充电主控。内置双MOS,使用两颗即可组成完整全桥。
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威兆VS3640AE常用于输出VBUS开关,NMOS,使用5V逻辑电平驱动,耐压30V,导阻为13.5mΩ,使用PDFN3333封装。
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威兆 VS3640DS 双NMOS管,使用5V逻辑电平控制,耐压30V,使用SOP封装规格。两颗可组成H桥驱动线圈,用于控制两侧无线充电部分供电。
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威兆VS3698AE常用于输出VBUS开关,NMOS,耐压30V,导阻3mΩ,采用PDFN3333封装规格,用于两路端口输出功率分配。
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威兆半导体 VS4020AP MOS管,耐压40V,导阻4mΩ,采用PDFN5X6封装规格,漏极电流 ID在25摄氏度条件下的最大值是60A。
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上图为威兆VSA007N02KD的两颗MOS管搭配使用,可以与DW01组成锂电保护,为产品提供更安全的运行环境。
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威兆VS4604DM采用TO-263封装方式,导阻为1.6mΩ,耐压40V的NMOS,常用于充电输入保护。
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威兆VS6018AS常用于次级同步整流管,采用SOP8封装,耐压60V/18A,n沟道 MOSFET,适用于各种常规大小充电器使用。
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威兆VS6410AS常用于次级同步整流MOS管,采用SOP8封装,耐压为60V的NMOS,导阻为11mΩ,在案例中搭配吉林华微的初级主控MOS管组成开关电源部分。
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威兆VSE011N06MS采用PDFN3333封装方式,耐压60V的NMOS管,导阻为9mΩ,常用于无线充电线圈切换。
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威兆VSI011N10MS-G常用于次级同步整流,采用TO-251封装方式,耐压100V的NMOS,导阻为9mΩ。
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威兆VSO009N06MS-G常用于同步整流,采用SOP8封装方式,耐压60V的NMOS,导阻为8mΩ。
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威兆VSP008N10MSC采用PDFN5x6封装,耐压100V的NMOS,导阻6mΩ,支持逻辑电压控制,常用于次级同步整流。
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威兆VSP012N12MS常用于次级同步整流,采用DFN5*6封装方式,导阻为12.8mΩ,耐压为120V的NMOS。
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威兆VST012N12MS采用TO-220AB封装方式,导阻为11.5mΩ,耐压为120V的NMOS,常用于次级同步整流的MOS管。
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威兆VST013N10MS采用TO-220AB封装工艺,导阻为11mΩ,耐压为100V的NMOS,常用于同步整流MOS来。
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威兆VS4610AE常用于同步整流MOS来,采用PDFN3333封装方式,导阻为6.8mΩ,耐压为40V的NMOS,在案例中用于为USB-C口输出同步整流降压。
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威兆VS6614GS常用于同步整流管,采用SOP8封装,导阻为10.5mΩ,耐压为60V的NMOS。
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威兆VSP004N10MS-G常用于同步整流管,采用PDFN5x6封装,耐压为100V,拥有3.8mΩ超低导阻。
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威兆VSP003N10HS-G采用PDFN5x6封装,拥有3.8mΩ超低导阻,耐压100V的NMOS,可以使用两颗VSP003N10HS-G并联进行同步整流。
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威兆VSP003N08HS-G采用PDFN5060X封装,2.4mΩ超低导阻,耐压为80V的NMOS管,常用于同步整流管。
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威兆VSP007N12MS-G是一颗耐压120V的NMOS,导阻为6.5mΩ,采用PDFN5060X封装,常用于同步整流管。
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威兆VS3620GEMC同步开关管,耐压为30V的NMOS,导阻4.9mΩ,采用PDFN3333封装,可使用四颗VS3620GEMC可组成H桥用于同步升降压。
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威兆VSO009N10MS常用于同步整流管,由PI电源芯片输出的同步整流驱动信号控制。后续此型号被VSO008N10MS取代,VSO008N10MS参数与VSO009N10MS参数接近,采用SOP8封装方式,耐压100V,导阻为6.4mΩ,使用5V逻辑电平控制。
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近两年来,随着PD协议的更新,快充技术的再次绽放出新的光彩,从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议,从以前的10W到如今的200W以上,充电速度越来越快,充电功率也越来越大,同步整流管的要求也越来越严格,快充技术已经在消费类电源市场市场中得到快速普及,也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年,旗下同步整流管家族矩阵十分庞大,多达64款型号的同步整流管,可轻松满足200瓦级别的快充应用,为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入小米、华为、IQOO、努比亚、魅族、OPPO、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链,产品性能获得市场长期验证。