旧电脑内存怎么升级？电脑用久了，运行速度自然会变慢。电脑运行太慢的时候，可以考虑升级电脑内存。下面，我们来看看用边肖升级旧电脑内存的教程。
升级旧计算机内存的教程
内存也称主存储器，是CPU可以直接寻址的存储空间，由半导体器件构成。内存的特点是存取速度快。内存是计算机的主要组成部分，是相对于外存储器而言的。内存是临时存储程序和数据的地方。比如我们用WPS处理稿件的时候，你在键盘上打字符的时候，它会存储在内存里。当您选择保存时，内存中的数据将被存储在硬(磁)盘上。
1.确定升级方案：我的电脑在操作过程中反应明显变慢，根据以往的经验确定是内存太小造成的，因为这台电脑的内存目前只有2*256=512MB。因此，重要的解决方法是升级内存。考虑到升级成本和内存插槽数量，计划将一个256MB内存更换为1GB。升级后的内存大小为10240MB 256MB=10496MB，约为1.25GB，已经满足实际需求。
2.打开机箱，查看主板的详细信息。一般主板上会有详细的型号。根据这种类型，你可以在相关网站上找到主板对应的一系列参数信息。比如笔者拿到的主板型号是MS-6555。
3.根据这个主板的型号参数，你可以在网上搜索相关官网，找到一个关于这个主板的系统参数。获得的最重要的参数是：
内存类型：DDR
最大扩展内存：2GB
内存插槽：2个DDR DIMMs
传输标准：PC1600/PC2100
4.细化参数的概念。(1)内存类型为“DDR”。(2)传输标准PC1600/PC2100其实就是DDR200/DDR266。(3)最大扩展内存：2GB。所以从最经济实用的角度出发，可以选择购买一个内存类型为“DDR266”、容量为1GB的内存作为替代。
5.按照这个要求在网上购买相关的硬件产品。你买回来之后，需要再次确认一下所购买的硬件产品的参数是否符合要求。如果确认无误，请打开包装。这个时候一定要小心！先用手触摸机箱，消除人体静电，然后用手轻轻取出内存条，适度插入主板上的任意插槽，确保内存条两侧的卡扣将内存条夹紧。
6.完成后就可以安装在内部主板上开始调试了。如果一切正常，进入桌面后，右键单击“我的电脑”，在属性窗口中查看内存的已实现容量，以确定内存是否已正确升级。
需要注意的事项
1.由于硬件存在漏洞，升级前请确保被更换的硬件和被更换的硬件属于同一类型。
2.用手拿记忆棒之前，一定要先消除身上的静电，防止静电击穿记忆棒上的电路器件。
关于内存模块内存模块是CPU可以通过总线寻址并执行读写操作的计算机组件。内存在个人电脑的历史上曾经是主内存的延伸。随着计算机软硬件技术要求的不断更新，记忆棒已经成为读写存储器的全部。一般来说，计算机内存(RAM)的大小是指内存芯片的总容量。
内存是计算机不可缺少的一部分，CPU可以通过数据总线对内存进行寻址。历史上电脑主板上都有主存，内存条是主存的扩展。以后电脑主板没有主存，CPU完全靠内存条。外部存储器中的所有内容都必须通过内部存储器才能发挥作用。
关于记忆棒
内存是CPU可以通过总线寻址和读写的计算机组件。内存在个人电脑的历史上曾经是主内存的延伸。随着计算机软硬件技术要求的不断更新，记忆棒已经成为读写存储器的全部。一般来说，计算机内存(RAM)的大小是指内存芯片的总容量。
内存是计算机不可缺少的一部分，CPU可以通过数据总线对内存进行寻址。历史上电脑主板上都有主存，内存条是主存的扩展。以后电脑主板没有主存，CPU完全靠内存条。外部存储器中的所有内容都必须通过内部存储器才能发挥作用。
显色法
出生
一开始电脑用的内存是一块IC，我们要把它们焊在主板上才能正常使用。一旦某个内存IC坏了，就要焊下来更换，太费力了。后来，计算机设计师发明了模块化条带存储器，每个条带集成了多个存储器IC。相应的，主板上设计了内存条，可以随意拆卸内存条。从此以后，内存的维护和扩展变得非常方便。
发展
内存的状态一直使用到286年初。由于它的缺点是不能拆卸和更换，这给计算机的发展造成了真正的障碍。鉴于此，内存芯片应运而生。内存芯片焊接在预先设计好的印刷电路板上，内存插槽也用在电脑主板上。这样就彻底解决了内存难以安装和更换的问题。
在80286主板发布之前，内存并不被世人重视。此时内存直接固化在主板上，容量只有64 ~256KB。对于当时PC机运行的工作程序来说，这个内存的性能和容量足以满足当时软件程序的处理需求。但是随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高的要求。为了提高速度和扩展容量，存储器必须以独立的封装形式出现，于是“记忆棒”的概念诞生了。
当80286主板首次推出时，内存模块采用SIMM(单列直插式内存模块)接口，容量为30针和256kb。它必须是由8个数据位和1个校验位组成的存储体。正因如此，我们看到的30针SIMM一般都是一起用的。自1982年PC进入民用市场以来，采用80286处理器的30针SIMM存储器是存储器领域的先驱。
然后，1988-1990年，PC技术迎来了另一个发展高峰，也就是386和486倍。此时CPU已经发展到16位，30针的SIMM内存已经不能满足需求，其内存带宽低成为亟待解决的瓶颈。所以这个时候72针SIMM内存出现了，72针SIMM支持32位快速页模式内存，大大提高了内存带宽。一般72pin的SIMM存储器单个容量为512KB ~2MB，同时使用只需要两个即可。因为与30pin SIMM内存不兼容，PC行业在此时毅然淘汰了30pin SIMM内存。
EDO DRAM(扩展日期输出RAM，
外部数据模式存储器)存储器，这种存储器在1991年到1995年间很流行。EDO-RAM非常类似于FP DRAM。它取消了扩展数据输出存储器和传输存储器两个存储周期的时间间隔，在向CPU发送数据的同时访问下一页，因此其速度比普通DRAM快15~30%。工作电压一般5V，带宽32bit，速度40ns以上。主要用于当时的486和早期的奔腾电脑。
从1991年到1995年年中，我们看到了一个尴尬的局面，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，于是我们看到了这个时候EDO RAM中72 pin和168 pin并存的局面。其实eDORAM也属于72pin SIMM内存的范畴，只是它采用了全新的寻址方式。江户在成本和产能上有所突破。随着制造技术的飞速发展，单个EDO存储器的容量此时已经达到了4 ~ 16mb。由于奔腾和更高的CPU的数据总线宽度是64位甚至更高，EDO RAM和FPM RAM必须成对使用。
SDRAM时代
自从英特尔赛扬系列、AMD K6处理器以及相关主板芯片组的推出，EDO DRAM的内存性能已经不能满足需求，必须对内存技术进行彻底创新，以满足新一代CPU架构的要求。这时，内存开始进入经典的SDRAM时代。
第一代SDRAM内存是PC66标准，但是很快因为Intel和AMD的频率之争，CPU的外接频率提高到了100MHz，于是PC66内存很快被PC100内存取代。然后随着外接频率133MHz的PIII和K7时代的到来，PC133标准也以同样的方式进一步提升了SDRAM的整体性能，带宽提升到1GB/秒以上。由于SDRAM的带宽为64bit，正好对应CPU 64 bit数据总线的宽度，只需要一个内存就可以工作，方便性进一步提高。在性能上，它的输入输出信号与系统外部频率保持同步，因此速度明显超过了EDO存储器。
不可否认，SDRAM内存从早期的66MHz发展到后期的100MHz和133MHz。虽然内存带宽上的瓶颈问题还没有完全解决，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题。所以很多用户将品牌PC100内存超频到133MHz，以达到CPU超频的成功。值得一提的是，为了方便一些超频用户的需求，市场上出现了一些PC150和PC166的规格。
虽然SDRAM PC133内存的带宽可以提升到1064MB/S，而且Intel已经启动了最新的奔腾4计划，但是SDRAM PC133内存已经不能满足未来的发展需求。此时，英特尔和Rambus共同在PC市场推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存)，以达到垄断市场的目的。与SDRAM不同的是，它采用了新一代的高速简单存储器架构，基于一种RISC(精简指令集计算)理论，可以降低数据的复杂度，提高整个系统的性能。
在AMD和Intel的竞争中，这个时候属于频率竞争的时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升。为了超越AMD，英特尔推出了高频率的奔腾III和奔腾4处理器，因此Rambus DRAM内存被英特尔视为未来自己的竞争杀手锏。Rambus DRAM内存以较高的时钟频率简化了每个时钟周期的数据量，因此内存带宽非常出色。比如PC 1066 1066 MHz 32位的带宽可以达到4.2G字节/秒，Rambus DRAM一度被认为是奔腾4的绝配。
即便如此，Rambus RDRAM还是生不逢时，后来还是被更高速的DDR“掠夺”了。当时PC600和PC700的Rambus RDRAM因为Intel820芯片组的“错误事件”和PC800 Rambus RDRAM的高成本，使得奔腾4平台高。由于无法赢得广大用户的支持，Rambus RDRAM因种种问题胎死腹中。Rambus曾希望更高频率的PC1066标准RDRAM能力挽狂澜，但最终还是向DDR内存低头。
DDR时代
DDR SDRAM(双数据速率SDRAM)缩写为DDR，
它也意味着“双倍速率SDRAM”。DDR可以说是SDRAM的升级版。DDR在时钟信号的上升沿和下降沿各传输一次数据，使得DDR的数据传输速度是传统SDRAM的两倍。因为只使用下降沿信号，所以不会增加能耗。至于地址和控制信号，和传统的SDRAM一样，只在时钟的上升沿传输。
DDR内存是性能和成本的折中方案。其目的是快速建立稳固的市场空间，然后在频率上一步步大踏步前进，最终弥补内存带宽的不足。第一代DDR200规范还没有普及。第二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟 2倍数据传输=266MHz带宽)源自PC133 SDRAM内存，将DDR内存带入第一个高潮。此外，许多赛扬和AMD K7处理器正在使用DDR266规格的内存。下面的DDR333内存也是过渡，DDR400内存成为主流平台选择。双通道DDR400内存成为800FSB处理器的基本标配，然后DDR533规格成为超频用户的选择。
DDR2时报
DDR2(双倍数据速率2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准最大的区别在于，虽然采用了时钟上升/下降延迟同时传输数据的基本方式，但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍(即4-4bit数据读取和预取)。换句话说，DDR2存储器的每个时钟可以以4倍于外部总线的速度读写数据，并以4倍于内部控制总线的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2存储器都在FBGA封装，这与广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热，从而为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供了坚实的基础。回顾DDR的发展历程，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展已经到了技术极限，常规的方法很难提高内存的工作速度。随着英特尔最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求越来越高，拥有更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。
随着CPU性能的不断提升，我们对内存性能的要求也在逐步升级。不可否认，只靠高频来增加带宽的DDR，迟早会力不从心。因此，JEDEC组织已经酝酿DDR2标准很久了。此外，采用LGA775接口的915/925和最新的945等新平台已经开始支持DDR2内存，因此DDR2内存将开始浪漫今天的内存领域。
DDR2可以在100MHz的传输频率基础上提供至少400 MB/s/pin的带宽，其接口将在1.8V电压下运行，从而进一步减少发热，提高频率。此外，DDR2将纳入新的性能指标和中断指令，如CAS、OCD和ODT，以提高内存带宽的利用率。根据JEDEC组织者制定的DDR2标准，用于PC和其它市场的DDR2存储器将有不同的时钟频率，如400、533和667MHz。高端DDR2内存将有800 MHz和1000MHz两种频率。DDR-II内存将在FBGA采用200针、220针和240针封装。起初，DDR2存储器将采用0.13微米制造工艺，存储颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
2005年的内存技术将毫无悬念，以SDRAM为代表的静态内存不会在5年内普及。QBM和RDRAM内存也很难恢复，所以DDR和DDR2共存的时代将是铁一般的事实。
除了PC-133，VCM(虚拟通道存储器)也是PC-100非常重要的继任者。VCM(虚拟通道内存)也是大多数新型芯片组支持的内存标准。VCM内存主要是根据NEC开发的一种“缓存DRAM”技术制造的，该技术集成了“通道缓存”，并由高速寄存器进行配置和控制。VCM在实现高速数据传输的同时，也保持了与传统SDRAM的高兼容性，所以VCM存储器通常被称为VCM SDRAM。VCM和SDRAM的区别在于，CPU处理与否的数据可以先交给VCM处理，而普通SDRAM只能处理CPU处理的数据，所以VCM处理数据的速度比SDRAM快20%以上。有很多芯片组可以支持VCM SDRAM，包括英特尔的815E和威盛的694X。
RDRAM
Intel推出后：PC-100由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽并没有太大的提升(1064MB/s)，同样不能满足未来的发展需求。为了垄断市场，英特尔和Rambus公司在PC市场联合推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如图4-3所示。
Ramdram是Rambus公司首先提出的存储器规范，采用新一代高速简单存储器架构，可以降低数据的复杂度，提高整个系统的性能。Rambus采用400MHz 16位总线，可以在一个时钟周期内上升沿和下降沿同时传输数据，这样其实际速度为400MHz2=800MHz，理论带宽为(16bit2400MHz/8)1.6GB/s，是PC-100的两倍。此外，Rambus还可以存储9位字节，多余的位被保留，将来可能用作ECC(错误检查和纠正)校验位。Rambus的时钟可高达400MHz，仅用30根铜线连接内存控制器和RIMM (Rambus直插式内存模块)。减少铜线的长度和数量可以减少数据传输中的电磁干扰，从而快速提高存储器的工作频率。但是在高频下，Rambus产生的热量肯定会增加，所以第一个Rambus内存甚至需要自带散热风扇。
DDR3时代
与DDR2相比，DDR3的工作电压更低，从1.8V降至1.5V，性能更好，功耗更低。DDR2的4位预读升级到8位预读。DDR3的最高速度是2400Mhz。由于最快的DDR2内存速度已经提高到800Mhz/1066Mhz，第一批DDR3内存模块将从1333Mhz起步。在Computex展会上，我们看到几家内存厂商展出了1333Mhz的DDR3模块。
基于DDR2的DDR3新设计；
1.8位预取设计，而DDR2是4位预取，这样DRAM核心的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2.采用点对点拓扑结构，以减轻地址/命令和控制总线的负担。
3.采用100nm以下的生产工艺，工作电压由1.8V降至1.5V，增加了异步复位和ZQ校准功能。
DDR4时代
DDR4内存将有两种规格。其中，采用单端信令信号的DDR4存储器的传输速率已经确定为1.6~3.2Gbps，而基于差分信令技术的DDR4存储器的传输速率将达到6.4Gbps，由于通过一个DRAM实现两个接口基本不可能，因此DDR4存储器中将出现基于传统se信号和差分信号两种产品。
根据几位半导体行业相关人士的介绍，DDR4存储器将会是单端信号(传统SE信号)和差分信号(差分信号技术)。预计这两个标准会推出不同的芯片产品，所以我们会在DDR4内存时代看到两种不兼容的内存产品。
