美一直想要台积电最先进的芯片制造技术，并主动邀请台积电赴美建厂，但被台积电拒绝了。
芯片规则修改后，台积电宣布赴美建厂，投资120亿美元建设5nm芯片生产线，美要求更多芯片在本土制造后，台积电又宣布建设3nm芯片生产线。
台积电接连宣布在美投资建厂，外界一直传言，美这是要掏空台积电，台积电将会变成美积电。
还有消息称，美是醉翁之意不在酒，在乎台积电最先进的芯片制造技术，台积电在建厂，可能就会失去最先进的技术。
然而，英特尔突然传来新消息，英特尔18A/20A工艺流片了。
据悉，新任CO上台后，英特尔就提出了IDM2.0战略，大力发展芯片制造技术，并计划在2024年量产20A工艺的芯片。
根据英特尔的说法，其纳米级工艺20A相当于是1.8nm,18A工艺相当于是1.8nm,这两种工艺都已经流片，规格、材料、性能目标等均已完成。
其中，20A工艺将首发RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术，每瓦性能提升15%。
可以说，这一消息的传来，让台积电措手不及，毕竟，早些时候还传言，英特尔7nm工艺频频遇到问题，一再延迟上市时间。
另外，英特尔还向台积电、三星下了大量的订单，并把3nm芯片订单交给台积电。
关键是，台积电计划在2024年试产2nm芯片，2025年量产2nm制程的芯片，按照这样的时间表，台积电在2nm工艺方面要落后英特尔了。
很多人好奇，英特尔芯片制造技术怎么就突飞猛进？
2022年中，IBM通过与AMD、三星等多家公司合作，推出了2nm的测试芯片，这可是全球首颗2nm芯片。
IBM早就不再开展晶圆制造业务，而美芯企业中，英特尔又是芯片制造最先进的企业，英特尔与IBM合作也人人皆知的。
另外，台积电宣布在美建设5nm芯片工厂后，三星就宣布在美建设3nm芯片工厂，而在3nm工艺上，三星比台积电早量产，还掌握了更先进的GAA工艺。
再加上，ASML一直都优先给台积电提供先进的光刻机，芯片规则被多次修改后，ASML改变优先供货权，极大可能就是给了英特尔。
ASML也表示新增两台全新的光刻机订单，都是来自英特尔，也将会在2023年交付全新一代光刻机，台积电预计会在2024年获得全新一代光刻机。
在IBM、三星以及ASML等多方努力之下，英特尔快速突破技术瓶颈也不是不可能。
于是有外媒表示张忠谋说对了，因为其一直反对在美建厂，甚至表示台积电在美建厂必败。
一方面是因为英特尔要求补贴不要给台积电，美也表示，想获得补贴，未来就分享最高75%的利润，如果没有补贴，高成本会让台积电难以为继。
另一方面是美要求更多芯片在本土制造，英特尔的晶圆代工技术又取得突破，消息称，目前已经有43家潜在合作伙伴在测试芯片，其中7家都是全球前10的厂商。
英特尔早就表示正在与高通协商代工事宜，这意味着台积电获得美芯订单也将被英特尔瓜分。
