虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。
新一代存储芯片可带来2400MTps的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级SSD的传输速度轻松超过12GBps。
据介绍，第8代V-NAND可提供1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开IC的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。
三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，其新一代3D NAND闪存可提高20%的单晶生产率，从而进一步降低了成本（在良率相同的情况下），这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。
