中国投资网 科技 三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存

三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存

IT之家 1 月 9 日消息,据韩媒 The Elec 消息,三星将加速 3D NAND 堆叠进程,正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级

三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存,同时,下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。

据报道,三星计划 2024 年量产的第九代 V-NAND 将在 280 层 3D NAND 范围内。对于定于 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND,三星正在讨论跳过 300 层直接进入 430 层。

据分析,具体工作正在按照到 2030 年发展 1000 层 V-NAND 的目标逐步推进。也有观察认为,三星会长李在镕强调的“超级差距战略”的执行速度正在加快。

此外,业内人士透露,三星已经为第九代、第十代等 V-NAND 单元的数量制定了大致的路线图,正在从多个角度开发产品。

IT之家了解到,V-NAND 是三星于 2013 年首发的闪存技术,通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接每一层。

2013 年出现的第一代 V-NAND 是 24 层。此后又推出了第二代 32 层、第三代 48 层、第四代 64 层、第五代 92 层、第六代 128 层、第七代 176 层。每一代都经历了大约 1 年到 1 年零 6 个月的量产。

三星于 2022 年 11 月宣布量产了第八代 V-NAND,其堆叠层数为 236 层。据介绍,第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。

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