2023年3月14日-16日，在深圳福田会展中心7号馆举行2023（春季）亚洲充电展（ Asla Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，是全球影响最为广泛的能源电子技术展会之一，也是亚洲屈指可数的充电行业技术产业盛会。得益于专业性强、参展商和观众覆盖精准，亚洲充电展在全球享有相当高的知名度。现已成为了全球各大电源企业发布产品信息和展示最新技术的窗口，在这里，可以获取到行业热门赛道和行业发展的风向标。
氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 将于2023春季亚洲充电展中展示突破性氮化镓快充解决方案，GaN Systems深耕氮化镓技术多年，研发出多款氮化镓技术的知名产品，走在氮化镓技术领域的最前沿，目前主要从事GaN材料相关产品的设计、开发和生产。欢迎莅临GaN Systems在B37-40的摊位，与我们的专家讨论最新氮化镓技术及应用可能。
GaN Systems 前进春季亚洲充电展 秀下世代氮化镓功率半导体技术
氮化镓晶体管被视为是能够解决硅材料在物理特性上的限制，帮助电力电子系统提升能源效率、缩小尺寸及重量、优化开发成本，甚至达到永续目标的关键零组件。氮化镓功率器件已经陆续在各应用市场中崭露头角，其中以消费电子市场的应用最为成熟。从持续攀升的大尺寸屏幕智能手机销售量及5G手机普及来看，市场对于手机电池容量及充电速度的要求将持续提高，快充技术将成为亚洲智能手机品牌做出产品市场区隔的关键技术。
GaN Systems提供完整、高可靠性氮化镓功率半导体解决方案，我们的100V及650V增强型氮化镓晶体管能支持从4A到150A的运作电流。我们的氮化镓功率器件采用常见PDFN封装技术及高规GaNPX嵌入式封装技术，能满足不同客户对功率、散热、及效能的需求。针对消费电子产品氮化镓充电器及电源适配器，我们也提供一站式解决方案。
透过与全球消费电子市场领导品牌持续且密切的合作，GaN Systems持续优化其氮化镓技术，帮助客户缩短设计周期，开发尺寸更小、重量更轻、更高功率、更高效能的电源产品。
三星(Samsung) Galaxy S22+及Ultra旗舰智能手机 45W 氮化镓充电器
GaN Systems在行业领先的可靠性、高质量和产品寿命使我们成为三星(Samsung)在开发氮化镓充电器时的首选供应商，我们的氮化镓解决方案为这款45W充电器实现轻薄尺寸，相较于前一代产品，这款充电器不仅在功率上翻倍，更在功率密度及效率上树立的新的标竿。
哈曼(HARMAN) InfinityLab 100W 4 孔USB氮化镓充电器
三星(Samsung)旗下子公司哈曼(HARMAN) 新推出的100W 4孔USB氮化镓充电器采用GaN Systems GS-065-011-1-L 650V增强型氮化镓晶体管，实现极致轻薄外型，以强大功率支持4台装置同时充电。
戴尔(Dell) 外星人Alienware X15 R1电竞笔记本240W氮化镓充电器
此款240W氮化镓充电器采用GaN Systems GS-065-030-2-L 650V增强型氮化镓晶体管，与先前的型号相比，在外型上更显时尚与轻薄，与旧款90W 充电器相比，体积几乎相同，但功率却提高了 2.7 倍。GaN Systems GS-065-030-2-L 增强型氮化镓晶体管封装在一个小型、高散热效率的 8×8 毫米 PDFN 封装中，能实现高频开关，达到最大化的能源效率及功率密度。
雷蛇(Razer) Blade 17 电竞笔记本电脑280W 氮化镓充电器
此款280W氮化镓充电器采用两颗GaN Systems GS-065-030-2-L 650V增强型氮化镓晶体管，不仅在体积上比之前的230W充电器更小，输出功率提高20%以上，相较于传统280W充电器，体积更缩小了一半。所采用的两颗GaN Systems GS-065-030-2-L氮化镓晶体管分别封装于高散热效率、小尺寸的8x8 PDFN 封装，能实现高频开关，达到最大化的能源效率及功率密度。
随着氮化镓技术的发展，越来越多的企业开始聚焦最新的氮化镓技术，希望通过氮化镓技术给产品进行赋能，达到高效节能的目的。传统的硅技术的很多方面发展都已经达到瓶顶，作为第三代半导体的氮化镓，相比传统硅拥有更高的可靠性、能效比、运行速度，且具备宽禁带特征，在高温环境工作能承受更高的能量密度，所以氮化镓器件相比硅器件会有更好的性能表现。
氮化镓系统 (GaN Systems)在本次亚洲充电展中带来了新的氮化镓功率半导体技术，随着氮化镓技术的不断进步及氮化镓器件应用场景的不断增加，能够加快氮化镓技术的普及，让更多用户享受到氮化镓技术带来的好处。目前，氮化镓器件成本中的外延成本占比达到2/3，仍有较大的下降空间，随着氮化镓技术的越来越成熟，产品成本会越来越低，另一方面，GaN Systems的氮化镓器件为平面器件，与现有的硅器件拥有更强的兼容性，可以有效提高产品的功率密度，降低工程师的设计难度，加快产品研发上市。
