（全球TMT2022年11月8日讯）三星宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星电子第八代V-NAND，1Tb
三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
