三星电子今（21）日宣布，已成功开发出业界首款采用12nm级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。三星表示，这款产品将在性能和能效方面引领业界，并将于2023年开始量产。
三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将有助于解锁高达7.2 Gbps的速度，相当于1秒内处理2部30GB的UHD电影。
能效方面，与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%，将有助于IT公司的环保需求。
三星还计划，在2023年量产这款产品后，继续扩大其基于这种尖端的12nm级工艺技术的DRAM产品组合，进入广泛的细分市场。
